Транзистор N-MOSFET VISHAY SI9926CDY-T1-E3, 20V, 6.7A, SO8 (SI9926CDY-E3) — набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET VISHAY SI9926CDY-T1-E3 — это двойной полевой транзистор с каналом типа N, изготовленный по технологии TrenchFET®. Предназначен для коммутации в электронных схемах с питанием до 20 В. Комплект поставки включает 20 единиц компонентов в корпусе SO8 для удобного монтажа.

• Двойной N-MOSFET транзистор с технологией TrenchFET®
• Максимальное напряжение сток-исток 20 В
• Ток стока 6,7 А, импульсный ток до 30 А
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 22 мОм
• Корпус SO8 для SMD монтажа
• Комплект из 20 транзисторов

Высокая эффективность коммутации

Благодаря технологии TrenchFET® транзистор демонстрирует низкое сопротивление в открытом состоянии — 22 мОм. Это снижает нагрев компонента во время работы. Низкое сопротивление особенно важно в схемах с частым переключением, где потери энергии могут быть значительными.

Надежность в режимах нагрузки

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 6,7 А и импульсный ток до 30 А. Такой запас позволяет использовать компонент в схемах с кратковременными пиковыми нагрузками. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2 Вт, что соответствует требованиям к компактным SMD-компонентам.

Электрические параметры и управление

Компонент выполнен в корпусе SO8 с технологией монтажа SMD, что обеспечивает плотное размещение на печатных платах. В комплекте поставляется 20 транзисторов. Полярность транзистора — униполярная, канал обогащаемый. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±12 В, а заряд затвора — 33 нКл. Эти параметры определяют требования к драйверу затвора и скорость переключения транзистора в схемах управления.

Транзистор VISHAY SI9926CDY-T1-E3 является компонентом для электронных устройств с требованиями к компактности.