Транзистор P-MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.

Транзистор P-MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3 — это униполярный компонент с технологией TrenchFET® в корпусе SO8 для SMD-монтажа. Комплект из 20 штук обеспечивает стабильную работу при напряжении -60 В и токе -2,6 А, что делает его пригодным для электронных проектов.

• Тип транзистора: P-MOSFET с технологией TrenchFET®
• Напряжение сток-исток: -60 В
• Ток стока: -2,6 А (в импульсе до -20 А)
• Мощность рассеивания: 3,2 Вт
• Корпус: SO8 для SMD-монтажа
• Комплект: 20 шт.

Стабильная работа при высоких нагрузках

Транзистор выдерживает напряжение сток-исток до -60 В, что позволяет использовать его в схемах с повышенным напряжением. Ток стока составляет -2,6 А, а в импульсном режиме может достигать -20 А, обеспечивая надежное переключение при пиковых нагрузках. Мощность рассеивания составляет 3,2 Вт.

Эффективное переключение и низкие потери

Благодаря технологии TrenchFET® транзистор имеет заряд затвора 22 нКл, что влияет на скорость переключения. Сопротивление в состоянии проводимости 0,12 Ом определяет потери мощности во время работы. Напряжение затвор-исток ±20 В задает допустимый диапазон управляющих сигналов.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент выполнен в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект из 20 штук обеспечивает запас элементов для сборки или ремонта.

Транзистор Vishay SI9407BDY-T1-GE3 подходит инженерам и техникам, которым нужны надежные P-MOSFET компоненты с требованиями к высокому напряжению и импульсным токам.