Транзистор P-MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-E3, TrenchFET, -60В, -2,6А, SO8 (20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-E3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Комплект из 20 штук в корпусе SO8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в электронных устройствах с напряжением до -60 В.

• Тип: P-MOSFET с каналом обогащения
• Технология: TrenchFET® для низкого сопротивления
• Корпус: SO8 для поверхностного монтажа (SMD)
• Максимальное напряжение: -60 В
• Ток стока: -2,6 А (постоянный), -20 А (импульсный)
• Комплектация: 20 шт.

Эффективная коммутация и управление

Транзистор работает как ключевой элемент в схемах управления питанием. Технология TrenchFET® обеспечивает сопротивление в состоянии проводимости 0,12 Ом.

Технические параметры и надежность

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет -60 В, а постоянный ток стока — -2,6 А. В импульсном режиме транзистор выдерживает ток до -20 А. Мощность рассеивания ограничена 3,2 Вт, поэтому компонент требует соответствующего теплового режима.

Комплектация и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). В комплекте поставляется 20 транзисторов. Напряжение управления затвором составляет ±20 В. Заряд затвора равен 22 нКл.

Комплект транзисторов Vishay для электронных устройств.