Транзистор P-MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3, SO8, -60В, -2,6А (SI9407BDY-E3) — набор 20 шт.
2 880 ₴
- В наличии
- Код: TM020466
P-канальный MOSFET-транзистор Vishay SI9407BDY-T1-GE3 в корпусе SO8 для SMD-монтажа. Устройство рассчитано на напряжение -60 В и ток -2,6 А, что делает его пригодным для коммутационных задач в электронных схемах.
- Тип: P-MOSFET, обогащенный канал
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Ток стока: -2,6 А (постоянный), -20 А (импульсный)
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Технология: TrenchFET®
- Количество в комплекте: 20 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток -60 В и постоянный ток стока -2,6 А. Импульсный ток может достигать -20 А, что позволяет выдерживать кратковременные пиковые нагрузки. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,12 Ом, что минимизирует потери энергии при работе.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SO8 с технологией монтажа SMD. Это обеспечивает компактность узла и удобство автоматизированного производства. Технология TrenchFET® используется для оптимизации характеристик канала.
Электрические характеристики и мощность
Товар поставляется набором из 20 штук. Такая упаковка удобна для серийного производства или ремонта оборудования, где нужно несколько одинаковых компонентов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
- Цена: 2 880 ₴