Транзистор N-MOSFET VISHAY SI7938DP-T1-GE3, 40V, 60A, PowerPAK SO8 (10 шт.)
1 970 ₴
- В наличии
- Код: TM077442
Транзистор N-MOSFET VISHAY SI7938DP-T1-GE3, 40V, 60A, PowerPAK SO8 (10 шт.)В наличии
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET VISHAY SI7938DP-T1-GE3 — это комплект из 10 штук, объединяющий два полевых транзистора в одном корпусе PowerPAK® SO8. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
- Комплект из 10 транзисторов
- Напряжение сток-исток 40 В
- Ток стока 60 А (импульсный 80 А)
- Сопротивление в открытом состоянии 7 мОм
- Корпус PowerPAK® SO8 для SMD-монтажа
- Технология TrenchFET®
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 40 В и постоянный ток стока 60 А. Импульсный ток может достигать 80 А, а сопротивление в открытом состоянии составляет 7 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность — 46 Вт.
Технология TrenchFET® и монтаж
Используется технология TrenchFET®. Корпус PowerPAK® SO8 позволяет разместить два N-MOSFET в компактном исполнении для SMD-монтажа. Поляризация транзистора — униполярная, канал обогащенный. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 65 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 46 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 60 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 970 ₴