Транзистор P-MOSFET Vishay SI7655ADN-T1-GE3, 20 шт., PowerPAK SO8

Транзистор P-MOSFET Vishay SI7655ADN-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Комплект состоит из 20 штук в корпусе PowerPAK® SO8, что обеспечивает компактное размещение на печатных платах.

• Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: -20 В
• Ток стока: -40 А (постоянный), -100 А (импульсный)
• Сопротивление в открытом состоянии: 3,6 мОм
• Рассеиваемая мощность: 36 Вт
• Корпус: PowerPAK® SO8, монтаж SMD
• Технология: TrenchFET®
• Количество в комплекте: 20 шт.

Эффективное управление током

Транзистор работает с напряжением сток-исток -20 В и постоянным током стока -40 А. В импульсном режиме устройство выдерживает ток до -100 А, что позволяет использовать его в силовых ключах с высокими пиковыми нагрузками.

Низкие потери мощности

Сопротивление в открытом состоянии составляет 3,6 мОм, что минимизирует нагрев компонента во время работы. Максимальная рассеиваемая мощность равна 36 Вт, а заряд затвора — 225 нКл, что способствует быстрому переключению и энергоэффективности схемы.

Удобный монтаж SMD

Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PowerPAK® SO8. Такое решение экономит место на плате и упрощает автоматизированное производство электронных модулей.

Быстрое переключение и управление затвором

Заряд затвора составляет 225 нКл, что обеспечивает быстрое переключение транзистора и снижает потери при коммутации. Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В позволяет использовать стандартные драйверы управления без дополнительных ограничительных элементов. Эта характеристика важна для импульсных источников питания и DC-DC преобразователей, где частота переключения влияет на габариты дросселей и конденсаторов.