
Транзистор N-MOSFET VISHAY SI7288DP-T1-GE3, 40V, 20A, комплект 20 шт.
3 540 ₴
- В наличии
- Код: TM020448
Комплект из 20 транзисторов VISHAY SI7288DP-T1-GE3 — это двойные N-MOSFET транзисторы с технологией TrenchFET®, рассчитанные на напряжение 40 В и ток 20 А. Они предназначены для электронных схем, где требуется эффективная коммутация и минимальные потери мощности.
- Комплект из 20 транзисторов
- Ток стока 20 А
- Напряжение сток-исток 40 В
- Сопротивление в открытом состоянии 22 мОм
- Корпус PowerPAK® SO8 (SMD)
- Технология TrenchFET®
Эффективная коммутация
Транзисторы имеют сопротивление в открытом состоянии 22 мОм, что обеспечивает низкие потери мощности во время работы. Максимальный импульсный ток составляет 50 А, что позволяет использовать их в схемах с высокими пиковыми нагрузками.
Компактный монтаж
Компоненты выполнены в корпусе PowerPAK® SO8 с технологией монтажа SMD. Такое решение позволяет экономить место на печатной плате и упрощает автоматизированный монтаж. Компактные размеры критичны для современных компактных устройств.
Надежность и управление
Допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Заряд затвора составляет 15 нКл. Рассеиваемая мощность 15,6 Вт определяет тепловой режим работы компонента.
Комплектация
В комплекте поставляется 20 транзисторов. Количество в наборе позволяет создать несколько узлов или иметь запас компонентов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 15.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 20 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 22 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
- Цена: 3 540 ₴
