Транзистор P-MOSFET VISHAY SI4925DDY-T1-GE3, комплект 20 шт., корпус SO8

Комплект из 20 транзисторов VISHAY SI4925DDY-T1-GE3 типа P-MOSFET x2 в корпусе SO8. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работы в электронных схемах с нагрузкой до 5 Вт.

• Комплект из 20 транзисторов P-MOSFET x2
• Корпус SO8 для поверхностного монтажа (SMD)
• Технология TrenchFET® для низкого сопротивления
• Рассеиваемая мощность 5 Вт
• Ток стока -5,9 А, напряжение -30 В
• Сопротивление в открытом состоянии 41 мОм

Двойная структура и технология TrenchFET®

Транзистор имеет двойную структуру (P-MOSFET x2), что позволяет оптимизировать пространство на плате. Применение технологии TrenchFET® обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии, которое составляет 41 мОм. Это снижает нагрев компонента во время работы и повышает эффективность устройства.

Электрические параметры и мощность

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 5 Вт, что подходит для многих промышленных и бытовых применений. Устойчивость к напряжению сток-исток до -30 В и току стока до -5,9 А делает компонент универсальным для управления нагрузкой. Заряд затвора 50 нКл влияет на скорость переключения, что важно для импульсных схем.

Полярность и тип канала

Транзистор является униполярным (unipolarny) с каналом обогащения (wzbogacany). Это означает, что для открытия канала требуется напряжение затвора, противоположное по полярности напряжению стока. Такая конфигурация стандартна для P-MOSFET и обеспечивает надежное управление в схемах с отрицательным напряжением.