Транзистор N-MOSFET Vishay SI4686DY-T1-E3, 30 В, 14,5 А, SO8 (набор 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SI4686DY-T1-E3 — это полевой транзистор с индуцированным каналом в корпусе SO8. Устройство рассчитано на напряжение 30 В и ток стока 14,5 А.

• Тип: N-MOSFET с индуцированным каналом
• Напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 14,5 А (импульсный до 50 А)
• Сопротивление в открытом состоянии: 14 мОм
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Технология: TrenchFET®
• Набор: 30 шт.

Напряжение и ток

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 30 В и выдерживает импульсный ток стока до 50 А. Номинальный постоянный ток составляет 14,5 А, а сопротивление в открытом состоянии — 14 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а рассеиваемая мощность — 5,2 Вт.

Корпус и монтаж

Использована технология TrenchFET®. Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8. Заряд затвора составляет 26 нКл.

Комплектация

Товар поставляется набором из 30 транзисторов.