Транзистор P-MOSFET Vishay SI4483ADY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.
1 940 ₴
- В наличии
- Код: TM077436
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4483ADY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.В наличии
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4483ADY-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный по технологии TrenchFET®. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8. Упаковка содержит 20 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET с каналом обогащения
- Технология изготовления: TrenchFET®
- Максимальное напряжение сток-исток: -30 В
- Максимальный ток стока: -15,4 А
- Рассеиваемая мощность: 3,8 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 8,8 мОм
- Корпус и монтаж: SO8, SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток -30 В и ток стока -15,4 А. Это определяет пределы его работы в электрических цепях.
Мощность и сопротивление
Рассеиваемая мощность составляет 3,8 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 8,8 мОм, что влияет на тепловые потери при работе.
Технология и корпус
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8.8 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 940 ₴