Транзистор P-MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-GE3, 20 шт., SO8
1 970 ₴
- В наличии
- Код: TM077435
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-GE3, 20 шт., SO8В наличии
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Товар поставляется комплектом из 20 штук в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: P-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -6,5 А (постоянный), -50 А (импульсный)
- Сопротивление в открытом состоянии: 35 мОм
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Комплект: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток -30 В и постоянный ток стока -6,5 А. В импульсном режиме ток стока может достигать -50 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 35 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора — 50 нКл.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе SO8, предназначенном для технологии поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В комплекте поставляется 20 транзисторов Vishay SI4435DDY-T1-GE3. Мощность рассеивания составляет 3,2 Вт. Полярность транзистора — униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 35 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 970 ₴