Транзистор P-MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-E3, SO8, -30V, -6,5A (набор 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-E3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8. Товар поставляется набором из 20 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Технология изготовления: TrenchFET®
• Корпус: SO8, тип монтажа: SMD
• Максимальное напряжение сток-исток: -30 В
• Постоянный ток стока: -6,5 А (импульсный: -50 А)
• Рассеиваемая мощность: 3,2 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 35 мОм
• Количество в комплекте: 20 шт.

Напряжение и ток

Транзистор работает с напряжением сток-исток до -30 В и постоянным током стока -6,5 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до -50 А. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 35 мОм, что обеспечивает эффективное прохождение тока.

Тепловые характеристики и монтаж

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 3,2 Вт. Заряд затвора равен 50 нКл. Компонент имеет поверхностный монтаж (SMD) в корпусе SO8, что позволяет использовать его в компактных устройствах с высокой плотностью размещения элементов.