Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403DDY-T1-GE3, SO8, 30 шт.
2 190 ₴
- В наличии
- Код: TM036795
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403DDY-T1-GE3, SO8, 30 шт.В наличии
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403DDY-T1-GE3 — это униполярный компонент с технологией TrenchFET® в корпусе SO8 для SMD-монтажа. Комплект состоит из 30 штук.
- Тип: P-MOSFET, униполярный
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -12,3 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 14 мОм
- Комплектация: 30 шт.
Электрические характеристики
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток -20 В и ток стока -12,3 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 14 мОм. Рассеиваемая мощность ограничена 3,2 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен по технологии TrenchFET®. Заряд затвора равен 39 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±8 В. Канал обогащенного типа. Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8. Технология изготовления — TrenchFET®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 190 ₴