Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403CDY-T1-GE3, 20 шт., SO8, TrenchFET
2 020 ₴
- В наличии
- Код: TM077433
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403CDY-T1-GE3, 20 шт., SO8, TrenchFETВ наличии
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403CDY-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Товар поставляется комплектом из 20 штук в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Технология: TrenchFET®
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -13,4 А (постоянный), -40 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 5 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 25 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Основные параметры стока
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток -20 В и постоянный ток стока -13,4 А. В импульсном режиме допустимый ток стока составляет -40 А. Максимальная рассеиваемая мощность равна 5 Вт.
Комплектация
Товар поставляется комплектом из 20 штук. Корпус SO8 и монтаж SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 25 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 020 ₴