Транзистор P-MOSFET Vishay SI4401DDY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.
2 330 ₴
- В наличии
- Код: TM036794
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4401DDY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.В наличии
2 330 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4401DDY-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8. Поставляется комплектом из 20 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET с каналом обогащения
- Технология изготовления: TrenchFET®
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Напряжение сток-исток: -40 В
- Ток стока: -16,1 А (постоянный), -50 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 4 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 15 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток -40 В и постоянный ток стока -16,1 А. В импульсном режиме допустимый ток стока достигает -50 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 4 Вт.
Комплектация
Транзистор поставляется комплектом из 20 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Максимальная мощность рассеивания | 4 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 15 mOm |
| Технология | TrenchFET® |
| Тип транзистора | Полевой |
Информация для заказа
- Цена: 2 330 ₴