Транзистор N-MOSFET Vishay SI4174DY-T1-GE3, 30 В, 13,5 А, SO8 (набор 30 шт.)
2 150 ₴
- В наличии
- Код: TM077432
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4174DY-T1-GE3, 30 В, 13,5 А, SO8 (набор 30 шт.)В наличии
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Устройство рассчитано на напряжение сток-исток 30 В и ток стока 13,5 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 13,5 А
- Рассеиваемая мощность: 3,2 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 9,5 мОм
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Технология: TrenchFET®
- Количество в комплекте: 30 шт.
Технические характеристики
Транзистор использует технологию TrenchFET®. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 9,5 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 3,2 Вт, а заряд затвора — 8 нКл. Напряжение затвор-исток может достигать ±20 В.
Комплектация
Товар поставляется набором из 30 транзисторов. Монтаж осуществляется методом SMD (Surface Mount Device).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 13.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 150 ₴