Транзистор N-MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3, 30 В, 15,4 А, SO8 (набор 20 шт.)
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM077431
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3, 30 В, 15,4 А, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3 в корпусе SO8. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и работы в схемах с напряжением до 30 В.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Максимальный ток стока: 15,4 А
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 7,9 мОм
- Количество в наборе: 20 шт.
Технические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 30 В, а максимальный ток стока — 15,4 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 7,9 мОм, что обеспечивает эффективную работу при высоких нагрузках.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SO8 с технологией монтажа SMD. Это позволяет использовать его в компактных устройствах с плотным расположением элементов на плате.
Комплектация
В комплекте поставляется 20 транзисторов. Такое количество удобно для прототипирования или серийного производства небольших партий.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 15.4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7.9 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴