Транзистор N-MOSFET Vishay SI4134DY-T1-GE3, 30В, 11,2А, SO8 (набор 20 шт.)
2 020 ₴
- В наличии
- Код: TM077430
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4134DY-T1-GE3, 30В, 11,2А, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4134DY-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения и технологией TrenchFET®. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8. В комплекте поставляется 20 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 11,2 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 14 мОм
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Комплектация: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 30 В, а постоянный ток стока — 11,2 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 14 мОм, что обеспечивает эффективное прохождение тока. Напряжение на затворе ограничено ±20 В.
Технология TrenchFET®
Технология TrenchFET® обеспечивает эффективную работу транзистора. Мощность рассеивания составляет 3,2 Вт, а заряд затвора — 7,3 нКл, что влияет на скорость переключения.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 020 ₴