Транзистор P-MOSFET Vishay SI3473CDV-T1-GE3, TrenchFET, SMD, 20 шт.
1 890 ₴
- В наличии
- Код: TM077428
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3473CDV-T1-GE3, TrenchFET, SMD, 20 шт.В наличии
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3473CDV-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный по технологии TrenchFET®. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SC74 (TSOP6). Упаковка содержит 20 штук.
- Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: -12 В
- Ток стока: -8 А (постоянный), -20 А (импульсный)
- Сопротивление в открытом состоянии: 36 мОм
- Корпус: SC74 (TSOP6), монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток -12 В и постоянным током стока -8 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает -20 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 36 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В.
Технология и монтаж
Использование технологии TrenchFET®. Корпус SC74 (TSOP6) и тип монтажа SMD. Рассеиваемая мощность составляет 4,2 Вт, а заряд затвора — 65 нКл.
Комплектация
В комплект входят 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 4.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SC74, TSOP6 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 890 ₴