Транзистор N-MOSFET Vishay SI3460DDV-T1-GE3, 20V, 7.9A, SMD (комплект 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SI3460DDV-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 40 штук в корпусе SC74 (TSOP6).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
• Ток стока: 7,9 А (постоянный), 20 А (импульсный)
• Сопротивление в открытом состоянии: 28 мОм
• Корпус: SC74 (TSOP6), монтаж SMD
• Количество в комплекте: 40 шт.

Технические параметры и корпус

Компонент работает с напряжением сток-исток до 20 В и постоянным током стока 7,9 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 20 А, а рассеиваемая мощность составляет 1,7 Вт. Корпус SC74 (TSOP6) и технология TrenchFET® обеспечивают низкое сопротивление в открытом состоянии (28 мОм).

Напряжение и ток стока

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 20 В. Постоянный ток стока составляет 7,9 А, а в импульсном режиме он может достигать 20 А. Максимальная рассеиваемая мощность компонента — 1,7 Вт.