Транзистор P-MOSFET Vishay SI3459BDV-T1-GE3, 3.3 Вт, набор 20 шт.
2 100 ₴
- В наличии
- Код: TM077427
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3459BDV-T1-GE3, 3.3 Вт, набор 20 шт.В наличии
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3459BDV-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с обогащенным каналом и технологией TrenchFET®. Максимальная мощность рассеивания составляет 3.3 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET с обогащенным каналом
- Технология TrenchFET®
- Максимальная мощность рассеивания: 3.3 Вт
- Корпус SC74 (TSOP6) для SMD-монтажа
- Набор из 20 транзисторов
Параметры и корпус
Компонент изготовлен по технологии TrenchFET®. Максимальная мощность рассеивания составляет 3.3 Вт. Транзистор имеет униполярную структуру и обогащенный канал.
Монтаж и комплектация
Транзистор выполнен в корпусе SC74 (TSOP6) для поверхностного монтажа (SMD).
В комплект поставки входит 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 288 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SC74, TSOP6 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 100 ₴