Транзистор P-MOSFET Vishay SI3421DV-T1-GE3, 30 шт., корпус TSOP6

Транзистор P-MOSFET Vishay SI3421DV-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Товар поставляется комплектом из 30 штук в корпусе SC74 (TSOP6) для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: -30 В
• Ток стока: -8 А (постоянный), -50 А (импульсный)
• Сопротивление в состоянии проводимости: 19,2 мОм
• Корпус: SC74 (TSOP6), монтаж SMD
• Комплект: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток -30 В и постоянный ток стока -8 А. В импульсном режиме допустимый ток стока достигает -50 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 19,2 мОм, что обеспечивает эффективное переключение с минимальными потерями.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в компактном корпусе SC74, также известном как TSOP6, что позволяет экономить место на плате. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж), что является стандартом для современной электроники. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2,7 Вт.

Комплектация

Рассеиваемая мощность компонента составляет 2,7 Вт, что определяет тепловой режим работы. Напряжение на затворе-истоке может достигать ±20 В. Общий заряд затвора равен 69 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора в схемах управления.