Транзистор P-MOSFET Vishay SI2369DS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.
2 070 ₴
- В наличии
- Код: TM077423
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2369DS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.В наличии
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2369DS-T1-GE3 — это униполярный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -7,6 А (в импульсе -80 А)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 29 мОм
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток -30 В и ток стока -7,6 А. В импульсном режиме ток может достигать -80 А. Мощность рассеивания составляет 1,6 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 29 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В упаковке поставляется 30 транзисторов. Транзистор имеет заряд затвора 36 нКл и напряжение затвор-исток ±20 В. Канал обогащенного типа, что определяет режим работы компонента.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 29 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 070 ₴