Транзистор N-MOSFET Vishay SI2342DS-T1-GE3, 8 В, 6 А, SOT23 (набор 30 шт.)

Набор из 30 транзисторов N-MOSFET от бренда Vishay, модель SI2342DS-T1-GE3. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT23 и имеют максимальное напряжение сток-исток 8 В.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 8 В
• Ток стока: 6 А, импульсный ток: 30 А
• Корпус: SOT23, монтаж: SMD
• Рассеиваемая мощность: 1,6 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 17 мОм
• Количество в наборе: 30 шт.

Тип и канал управления

Компонент является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Это означает, что для открытия канала необходимо положительное напряжение на затворе относительно истока. Напряжение затвор-исток ограничено ±5 В, что определяет допустимый режим управления.

Токовые характеристики

Максимальный постоянный ток стока составляет 6 А. Импульсный ток стока может достигать 30 А, что позволяет работать с кратковременными пиковыми нагрузками. Напряжение сток-исток ограничено 8 В.

Мощность и сопротивление в открытом состоянии

Рассеиваемая мощность компонента равна 1,6 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 17 мОм, что влияет на тепловые потери при работе с нагрузкой. Заряд затвора — 15,8 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора.