Транзистор N-MOSFET Vishay SI2338DS-T1-GE3, 30В, 6А, SOT23 (набор 30 шт.)

Набор из 30 транзисторов N-MOSFET от бренда Vishay, модель SI2338DS-T1-GE3. Компоненты в корпусе SOT23 предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитаны на ток до 6 А и напряжение 30 В.

• Набор из 30 транзисторов N-MOSFET
• Корпус SOT23 для SMD монтажа
• Ток стока 6 А, импульсный 25 А
• Напряжение сток-исток 30 В
• Сопротивление в состоянии проводимости 28 мОм
• Рассеиваемая мощность 1,6 Вт

Тип и канал управления

Компонент является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Это означает, что транзистор открыт только при наличии напряжения на затворе. Такая структура обеспечивает простое управление и стабильную работу в ключевых режимах.

Напряжение и ток

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 30 В, а напряжение на затворе допускается в пределах ±20 В. Постоянный ток стока равен 6 А, тогда как в импульсном режиме он может достигать 25 А. Эти параметры определяют границы безопасной эксплуатации компонента.

Мощность и сопротивление

Рассеиваемая мощность компонента равна 1,6 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 28 мОм, что минимизирует потери энергии при открытом транзисторе. Заряд затвора (Qg) — 13 нКл, что влияет на скорость переключения.