Транзистор P-MOSFET Vishay SI2333CDS-T1-GE3 — это униполярный компонент в корпусе SOT23 для монтажа SMD. Комплект состоит из 30 штук, что удобно для серийного производства или ремонта плат. Маркировка производителя SI2333CDS-T1-GE3 гарантирует идентичность компонента.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -12 В
- Ток стока: -5,7 А (в импульсе -20 А)
- Мощность рассеивания: 2,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток -12 В и ток стока -5,7 А. В импульсном режиме ток стока может достигать -20 А. Мощность рассеивания составляет 2,5 Вт, а заряд затвора — 25 нКл. Эти параметры определяют возможности транзистора в схемах коммутации.
Сопротивление и управление
Сопротивление в открытом состоянии равно 35 мОм, что обеспечивает эффективную работу. Напряжение затвор-исток составляет ±8 В. Канал обогащенного типа, что соответствует стандартным схемам управления P-MOSFET. Низкое сопротивление снижает нагрев при работе.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Это позволяет экономить место на печатной плате и упрощает автоматизированный монтаж. Такой формат подходит для компактных устройств и серийного производства.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 35 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
- Цена: 2 760 ₴

