Транзистор P-MOSFET Vishay SI2319DS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.
1 940 ₴
- В наличии
- Код: TM077420
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2319DS-T1-GE3 — это униполярный компонент с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT23. Упаковка содержит 30 единиц.
- Тип: P-MOSFET с каналом обогащения
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Напряжение сток-исток: -40 В
- Ток стока: -2,4 А (постоянный), -12 А (импульсный)
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,13 Ом
- Количество в комплекте: 30 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток -40 В и постоянный ток стока -2,4 А. В импульсном режиме ток может достигать -12 А.
Сопротивление и мощность
Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,13 Ом, что снижает нагрев при работе. Максимальная рассеиваемая мощность — 0,8 Вт.
Управление и технология
Компонент изготовлен по технологии TrenchFET®. Напряжение управления затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 17 нКл, что влияет на скорость переключения и энергопотребление драйвера. В комплекте поставляется 30 транзисторов в корпусе SOT23 для удобного монтажа на печатные платы.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 130 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | TrenchFET® |
- Цена: 1 940 ₴