Транзистор P-MOSFET Vishay SI2307CDS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM077417
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2307CDS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2307CDS-T1-GE3 в корпусе SOT23 предназначен для поверхностного монтажа на плату (SMD). Комплект состоит из 30 единиц.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Максимальное напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -2,2 А
- Рассеиваемая мощность: 1,8 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 138 мОм
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток -30 В и ток стока -2,2 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 138 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора — 6,2 нКл.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23. Тип монтажа — SMD (поверхностный).
Мощность и тип канала
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 1,8 Вт. Это униполярный P-MOSFET с каналом обогащения, который открывается при подаче соответствующего напряжения на затвор.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 138 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴