Транзистор N-MOSFET Vishay SI2302DDS-T1-GE3, SOT23, 20В, 2,1А (комплект 40 шт.)
2 150 ₴
- В наличии
- Код: TM077415
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2302DDS-T1-GE3, SOT23, 20В, 2,1А (комплект 40 шт.)В наличии
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2302DDS-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT23. Комплект состоит из 40 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 2,1 А
- Рассеиваемая мощность: 0,46 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 57 мОм
- Количество в комплекте: 40 шт.
Электрические параметры и мощность
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 20 В и ток стока 2,1 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,46 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 57 мОм, что обеспечивает эффективную работу в коммутационных схемах.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, что позволяет использовать его для поверхностного монтажа (SMD).
Параметры управления затвором
Заряд затвора составляет 3,5 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±8 В. Эти параметры определяют требования к драйверу затвора и скорость переключения транзистора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.46 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 57 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 150 ₴