Транзистор N-MOSFET Vishay SI2300DS-T1-GE3, 30 В, 3,6 А, SOT23 (40 шт.)
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM036789
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2300DS-T1-GE3, 30 В, 3,6 А, SOT23 (40 шт.)В наличии
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2300DS-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 40 штук в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 3,6 А (постоянный), 15 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 1,1 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 68 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплектация: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и постоянный ток стока 3,6 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 15 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,1 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 68 мОм.
Управление и монтаж
Компонент имеет заряд затвора 10 нКл. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±12 В. Корпус SOT23 и тип монтажа SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 68 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴