Транзистор N-MOSFET Vishay SI1442DH-T1-GE3, 12 В, 4 А, SMD, набор 40 шт.
1 890 ₴
- В наличии
- Код: TM077411
Транзистор N-MOSFET Vishay SI1442DH-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Устройство выполнено в корпусе SC70-6 (SOT363) и реализует технологию TrenchFET®, обеспечивающую низкое сопротивление в открытом состоянии.
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: 12 В
- Ток стока: 4 А (импульсный 20 А)
- Сопротивление в открытом состоянии: 30 мОм
- Корпус: SC70-6 (SOT363), монтаж SMD
- Набор: 40 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 12 В, а постоянный ток стока — 4 А. В импульсном режиме устройство выдерживает ток до 20 А. Сопротивление в состоянии проводности равно 30 мОм, что минимизирует потери мощности во время работы. Максимальная рассеиваемая мощность ограничена значением 2,8 Вт.
Управление и корпус
Транзистор имеет входную емкость в виде заряда затвора 33 нКл. Допустимое напряжение между затвором и стоком составляет ±8 В. Компактный корпус SC70-6 (SOT363) позволяет экономить место на печатной плате благодаря технологии монтажа SMD.
Комплектация
Товар поставляется набором из 40 штук.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 12 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SC70-6, SOT363 |
| Технология | TrenchFET® |
- Цена: 1 890 ₴