P-канальный MOSFET-транзистор Vishay SI1317DL-T1-GE3 в корпусе SOT323 (SC70) для поверхностного монтажа. Набор состоит из 40 единиц.
- Тип транзистора: P-MOSFET, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -1,4 А (постоянный), -6 А (импульсный)
- Корпус: SC70 / SOT323, монтаж SMD
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,27 Ом
- Набор: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток -20 В и постоянный ток стока -1,4 А. Импульсный ток может достигать -6 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,27 Ом, а рассеиваемая мощность — 0,5 Вт.
Корпус и монтаж и дополнительные параметры
Компонент выполнен в корпусе SC70 (SOT323) с типом монтажа SMD. Поляризация транзистора — униполярная. Напряжение затвор-исток составляет ±8 В, а заряд затвора — 6,5 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 270 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Информация для заказа
- Цена: 2 170 ₴

