Транзистор N-MOSFET Vishay SI1302DL-T1-GE3, 30 В, 0,48 А, SOT323, набор 50 шт.
2 120 ₴
- В наличии
- Код: TM077410
Транзистор N-MOSFET Vishay SI1302DL-T1-GE3, 30 В, 0,48 А, SOT323, набор 50 шт.В наличии
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 50 транзисторов N-MOSFET от Vishay (модель SI1302DL-T1-GE3) в корпусе SOT323. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и имеют максимальное напряжение сток-исток 30 В.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 0,48 А (импульсный до 1,5 А)
- Рассеиваемая мощность: 0,18 Вт
- Корпус: SC70/SOT323, монтаж SMD
- Набор: 50 штук
Тип транзистора и канал
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В.
Напряжение и ток
Напряжение затвор-исток допускает значения ±20 В. Номинальный ток стока составляет 0,48 А, а импульсный ток может достигать 1,5 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 0,48 Ом.
Мощность и заряд затвора
Компоненты выполнены в компактном корпусе SC70/SOT323. Компоненты выполнены в компактном корпусе SC70/SOT323 для поверхностного монтажа (SMD). Максимальная рассеиваемая мощность — 0,18 Вт. Заряд затвора (Qg) составляет 1,4 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.18 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.48 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 480 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Информация для заказа
- Цена: 2 120 ₴