Транзистор N-MOSFET Vishay SI1032R-T1-GE3, SMD SC75A, 20 В, 0,14 А (комплект 40 шт.)
2 160 ₴
- В наличии
- Код: TM036787
Транзистор N-MOSFET Vishay SI1032R-T1-GE3, SMD SC75A, 20 В, 0,14 А (комплект 40 шт.)В наличии
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI1032R-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SC75A для SMD-монтажа. Комплект состоит из 40 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
- Постоянный ток стока: 0,14 А
- Корпус: SC75A для SMD-монтажа
- Рассеиваемая мощность: 0,13 Вт
- Количество в комплекте: 40 шт.
Технические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 20 В и постоянный ток стока 0,14 А. Импульсный ток может достигать -0,5 А, а рассеиваемая мощность составляет 0,13 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 5 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC75A для поверхностного монтажа (SMD). Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатического разряда.
Комплектация
В упаковке поставляется 40 транзисторов SI1032R-T1-GE3.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.13 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 6 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.14 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SC75A |
Информация для заказа
- Цена: 2 160 ₴