Транзистор P-MOSFET Vishay SI1013CX-T1-GE3, SOT563, комплект 60 шт.

Комплект из 60 транзисторов P-MOSFET от производителя Vishay, модель SI1013CX-T1-GE3. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SC89 (SOT563) с использованием технологии TrenchFET®.

• Комплект из 60 транзисторов
• Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Корпус: SC89 (SOT563), монтаж SMD
• Напряжение сток-исток: -20 В
• Ток стока: -0,45 А (постоянный), -1,5 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 0,19 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 1,5 Ом
• Технология: TrenchFET®

Электрические параметры

Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет -20 В, а постоянный ток стока — -0,45 А. В импульсном режиме ток стока может достигать -1,5 А. Напряжение на затворе ограничено ±8 В.

Мощность и сопротивление в открытом состоянии

Рассеиваемая мощность транзистора равна 0,19 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 1,5 Ом. Заряд затвора — 2,5 нКл.

Технология и монтаж

Транзисторы изготовлены по технологии TrenchFET® в корпусе SC89 (SOT563) для поверхностного монтажа (SMD). В наборе поставляется 60 единиц.