Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SEMIX71GD12E4S, 75A, 1200В, корпус SEMIX®13 (SEMIX71GD12E4S 27890190)

IGBT модуль от бренда SEMIKRON DANFOSS с моделью SEMIX71GD12E4S предназначен для мощных электронных систем. Этот полупроводниковый компонент обеспечивает стабильную работу в сложных промышленных условиях.

• Номинальный ток коллектора 75 А для мощных нагрузок
• Импульсный ток до 225 А для устойчивости к пикам
• Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ для надежной изоляции
• Трехфазная топология IGBT-моста с термистором
• Корпус SEMIX®13 для стандартного монтажа
• Предназначен для UPS, инверторов и фотоэлектрики

Мощность и ток

Модуль имеет номинальный ток коллектора 75 А, что позволяет эффективно управлять значительными нагрузками. Импульсный ток коллектора достигает 225 А, что важно для устойчивости к пиковым нагрузкам в динамических режимах работы.

Напряжение и изоляция

Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ, что определяет граничное значение обратного напряжения. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено ±20 В, что соответствует стандартным требованиям к управляющим сигналам для IGBT-модулей.

Топология и структура

Компонент выполнен как трехфазный IGBT-мост со встроенным термистором для контроля температуры. Структура полупроводника «транзистор/транзистор» обеспечивает оптимальное распределение нагрузки и эффективное переключение.

Монтаж и применение

Модуль предназначен для винтового монтажа и использования технологии Press-Fit для электрического соединения. Он идеально подходит для систем бесперебойного питания (UPS), инверторов и фотоэлектрических установок.

Корпус и надежность

Компонент размещен в стандартном корпусе SEMIX®13, который является стандартным исполнением для этого типа модулей. Такое исполнение гарантирует долговечность и стабильность характеристик при длительной эксплуатации.