IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SEMIX71GD12E4S, 225 А, 1,2 кВ (SEMIX71GD12E4S 27890190)

Полупроводниковый IGBT-модуль от бренда SEMIKRON DANFOSS, модель SEMIX71GD12E4S. Устройство имеет максимальный ток коллектора 225 А и максимальное обратное напряжение 1,2 кВ.

• Максимальный ток коллектора: 225 А
• Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Корпус: SEMIX®13
• Тип монтажа: вставной
• Топология: трехфазный мост IGBT с термистором

Электрические параметры

Модуль характеризуется максимально допустимым током коллектора 225 А. Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ, а напряжение между затвором и эмиттером — ±20 В.

Конструкция и монтаж

Изделие выполнено в корпусе SEMIX®13 с вставным типом монтажа. Структура полупроводника реализована по схеме «транзистор/транзистор», а топология представляет собой трехфазный мост IGBT с термистором.