Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SEMIX603GB12E4SICP, 600 А, 1,2 кВ (SEMIX603GB12E4SICP 27895300)
33 300 ₴
- В наличии
- Код: TM020420
Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SEMIX603GB12E4SICP, 600 А, 1,2 кВ (SEMIX603GB12E4SICP 27895300)В наличии
33 300 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT модуль производства SEMIKRON DANFOSS с моделью SEMIX603GB12E4SICP. Устройство имеет максимальный ток коллектора 600 А и максимальное обратное напряжение 1,2 кВ. Корпус выполнен в формате SEMiX® 3p.
- Максимальный ток коллектора: 600 А
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Тип монтажа: вставной
- Корпус: SEMiX® 3p
- Структура: транзистор/транзистор
Электрические параметры
Модуль характеризуется максимально допустимым током коллектора 600 А. Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ. Напряжение между затвором и эмиттером равно ±20 В.
Конструкция и монтаж
Внутренняя структура полупроводника реализована по схеме «транзистор/транзистор». Топология модуля включает полупроводниковый мост IGBT и термистор. Монтаж выполняется вставным способом.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимально допустимый ток коллектора | 600 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | SEMiX® 3p |
| Производитель | SEMIKRON DANFOSS |
Информация для заказа
- Цена: 33 300 ₴