Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SEMIX603GB12E4SICP, 600A, 1200V (SEMIX603GB12E4SICP 27895300)

IGBT модуль от бренда SEMIKRON DANFOSS с моделью SEMIX603GB12E4SICP предназначен для мощных электронных систем. Он сочетает в себе высокую токовую нагрузку и надежную конструкцию для промышленного применения.

• Номинальный ток коллектора 600 А для высоких нагрузок
• Импульсный ток до 1,2 кА для пусковых режимов
• Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ
• Корпус SEMiX® 3p со стандартным монтажом
• Поддержка технологии Press-Fit для электрического соединения
• Применение в UPS, инверторах и фотоэлектрике

Мощность и токовые характеристики

Модуль обеспечивает номинальный ток коллектора 600 А, что позволяет работать с высокими нагрузками. Импульсный ток может достигать 1,2 кА, что важно для пусковых режимов оборудования. Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ, гарантируя стабильную работу в сетях высокого напряжения.

Конструкция и монтаж

Выполнен в корпусе SEMiX® 3p, что обеспечивает стандартные размеры для интеграции. Механическое крепление осуществляется с помощью винтов, что гарантирует надежность соединения. Электрический монтаж поддерживает технологию Press-Fit и винтовое крепление, упрощая процесс установки на плату.

Область применения

Модуль оптимизирован для использования в системах бесперебойного питания (UPS), частотных преобразователях и фотоэлектрических установках. Такая универсальность делает его востребованным компонентом для энергетических решений.

Структура полупроводника

Внутренняя топология модуля реализована как полумост IGBT с термистором. Это обеспечивает эффективное управление мощностью и защиту от перегрева. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В, что соответствует стандартным драйверам управления.