Транзистор ONSEMI SBC856BDW1T1G, PNP x2, 65В, 0,1А, SOT363, 200 шт.
2 170 ₴
- В наличии
- Код: TM036746
Транзистор ONSEMI SBC856BDW1T1G, PNP x2, 65В, 0,1А, SOT363, 200 шт.В наличии
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI SBC856BDW1T1G — это биполярный компонент типа PNP x2 в корпусе SOT363. Комплект состоит из 200 штук, предназначен для монтажа на поверхность (SMD).
- Тип транзистора: PNP x2 (биполярный)
- Напряжение коллектор-эмиттер: 65 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,38 Вт
- Корпус: SOT363 (SC70-6, SC88)
- Монтаж: SMD
- Количество в комплекте: 200 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 65 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,38 Вт. Коэффициент усиления (hFE) находится в диапазоне 220...475.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC70-6, SC88, SOT363. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Максимальная рабочая частота составляет 100 МГц.
Комплектация
В упаковке содержится 200 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.38 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 65 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 2 170 ₴