Биполярный транзистор NPN от производителя ONSEMI, модель SBC847CDW1T1G. Товар поставляется комплектом из 150 штук в корпусе SOT363 для поверхностного монтажа.
- Тип транзистора: биполярный NPN
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 0,1 А
- Максимальная мощность рассеивания: 0,38 Вт
- Граничная частота передачи: 100 МГц
- Корпус: SOT363 (SC70-6, SC88)
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В и максимальный ток коллектора 0,1 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 0,38 Вт, а граничная частота передачи — 100 МГц. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 420...800.
Конструкция и монтаж
Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SC70-6, также известном как SC88 или SOT363. Это компактный корпус для биполярных транзисторов.
Применение и комплектация
В набор входит 150 транзисторов. Применение компонентов указано как автомобильная отрасль.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.38 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 45 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 2 700 ₴

