Транзистор NPN ONSEMI SBC847BLT1G — это биполярный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 150 штук.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 45 В и током коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт, а коэффициент усиления (hFE) находится в диапазоне 200–450.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 (TO236AB). Монтаж осуществляется методом SMD (Surface Mount Device). Частота перехода составляет 100 МГц.
Комплектация
В упаковке находится 150 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 45 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 220 ₴

