Транзистор ONSEMI SBC847BDW1T1G, NPN x2, 45 В, 0,1 А, 0,38 Вт, SOT363 (100 шт.)

Биполярный транзистор ONSEMI SBC847BDW1T1G в корпусе SOT363. Это комплект из 100 штук, содержащий два NPN-транзистора в одном корпусе. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: биполярный, NPN x2
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 0,1 А
• Граничная частота передачи: 100 МГц
• Максимальная мощность рассеивания: 0,38 Вт
• Корпус: SOT363 (SC70-6, SC88)
• Тип монтажа: поверхностный (SMD)
• Количество в комплекте: 100 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 45 В, а максимальный ток коллектора — 0,1 А. Граничная частота передачи сигнала достигает 100 МГц. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 0,38 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор имеет поверхностный тип монтажа (SMD) и выполнен в корпусе SC70-6, SC88, SOT363. Это биполярный компонент с двумя NPN-транзисторами в одном корпусе. Применение указано для автомобильной отрасли.

Комплектация и применение

В комплекте поставляется 100 штук транзисторов.