Транзистор NPN x2 ONSEMI SBC847BDW1T1G — это биполярный компонент в корпусе SOT363 для поверхностного монтажа. Комплект состоит из 100 штук.
- Тип: биполярный транзистор NPN x2
- Напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,38 Вт
- Корпус: SC70-6 / SOT363 (SMD)
- Количество в комплекте: 100 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение коллектор-эмиттер 45 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,38 Вт, а коэффициент усиления по току — от 200 до 450. Частота перехода равна 100 МГц, что определяет его рабочие характеристики в схемах.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC70-6 (также известном как SC88 или SOT363). Это позволяет использовать технологию поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В упаковке находится 100 транзисторов. Согласно данным производителя, компонент предназначен для использования в автомобильной промышленности.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.38 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 45 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 100 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 1 910 ₴

