Транзистор NPN x2 ONSEMI SBC846BDW1T1G, 65В, 0,1А, SMD, 150 шт.
2 380 ₴
- В наличии
- Код: TM077272
Транзистор NPN x2 ONSEMI SBC846BDW1T1G, 65В, 0,1А, SMD, 150 шт.В наличии
2 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор NPN x2 ONSEMI SBC846BDW1T1G — это биполярный компонент в корпусе SMD, предназначенный для электронных схем. Комплект состоит из 150 штук.
- Тип транзистора: NPN x2 (биполярный)
- Напряжение коллектор-эмиттер: 65 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,38 Вт
- Корпус: SC70-6 / SC88 / SOT363 (SMD)
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры и усиление
Транзистор имеет напряжение коллектор-эмиттер 65 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,38 Вт, а коэффициент усиления (hFE) находится в диапазоне 200...450. Частота перехода равна 100 МГц.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC70-6 (также известном как SC88 или SOT363) с типом монтажа SMD. Такое исполнение позволяет размещать два NPN-транзистора в одном корпусе.
Комплектация
В наборе поставляется 150 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.38 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 65 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 2 380 ₴