Биполярный транзистор ONSEMI SBC817-40LT1G типа NPN в корпусе SOT23. Комплект состоит из 150 штук. Основные параметры: максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В, ток коллектора 0,5 А, мощность рассеивания 0,25 Вт.
- Тип транзистора: биполярный NPN
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 0,5 А
- Максимальная мощность рассеивания: 0,25 Вт
- Граничная частота передачи: 100 МГц
- Корпус: SOT23 (TO236AB)
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет граничную частоту передачи 100 МГц. Коэффициент усиления по току (hFE) составляет 250...600. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер равно 45 В, а максимальный ток коллектора — 0,5 А.
Конструкция и монтаж
Прибор выполнен в поверхностном корпусе SOT23 (TO236AB). Тип монтажа — поверхностный (SMD). Граничная частота передачи сигнала составляет 100 МГц.
Комплектация
В комплекте поставляется 150 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 45 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 670 ₴

