Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0040120B, SiC, 40 А, 333 Вт, комплект 5 шт.
2 450 ₴
- В наличии
- Код: TM077174
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0040120B, SiC, 40 А, 333 Вт, комплект 5 шт.В наличии
2 450 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда SMC DIODE SOLUTIONS, модель S3M0040120B. Это полупроводниковый прибор на основе технологии SiC в комплекте из 5 штук.
- Технология SiC (карбид кремния)
- Максимальная мощность рассеивания 333 Вт
- Максимальный ток стока 40 А
- Корпус T2PAK для SMD монтажа
- Комплект из 5 транзисторов
Мощность и ток
Максимальная мощность рассеивания составляет 333 Вт. Максимально допустимый ток стока равен 40 А. Эти параметры определяют предельные характеристики транзистора.
Технология SiC
Изделие изготовлено по технологии SiC (карбид кремния). Корпус выполнен в формате T2PAK для монтажа на поверхность платы (SMD).
Импульсный ток и заряд затвора
Максимальный импульсный ток стока (Idm) составляет 200 А. Заряд затвора равен 143 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 333 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 18 В |
| Максимально допустимый ток стока | 40 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 50 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | T2PAK |
| Производитель | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 2 450 ₴