Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0025120T, SiC, 1200 В, 54 А, TOLL (3 шт.)
2 060 ₴
- В наличии
- Код: TM077173
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0025120T, SiC, 1200 В, 54 А, TOLL (3 шт.)В наличии
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET бренда SMC DIODE SOLUTIONS, модель S3M0025120T, изготовленный по технологии SiC. Это униполярный компонент с напряжением сток-исток 1,2 кВ и током стока 54 А.
- Технология SiC
- Напряжение сток-исток 1,2 кВ
- Ток стока 54 А, импульсный 200 А
- Рассеиваемая мощность 517 Вт
- Корпус TOLL для SMD монтажа
- Комплект из 3 шт.
Высокое напряжение и ток
Компонент работает с напряжением сток-исток 1,2 кВ. Номинальный ток стока составляет 54 А, а импульсный ток (Idm) достигает 200 А.
Эффективность технологии SiC
Использование карбида кремния (SiC) в качестве полупроводникового материала обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии — 36 мОм.
Мощность и монтаж
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 517 Вт. Компонент выполнен в корпусе TOLL для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В комплект поставки входят 3 шт. транзисторов S3M0025120T.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 517 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 18 В |
| Максимально допустимый ток стока | 54 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TOLL |
| Производитель | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 2 060 ₴