
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0025120B, SiC, 1200 В, 52 А, T2PAK — набор 2 шт.
2 590 ₴
- В наличии
- Код: TM020367
Транзистор N-MOSFET от бренда SMC DIODE SOLUTIONS, модель S3M0025120B, изготовлен по технологии SiC. Это мощный полупроводниковый прибор для высоковольтных применений, обеспечивающий эффективную коммутацию в сложных электронных схемах.
- Технология SiC для высокой эффективности
- Напряжение сток-исток 1,2 кВ
- Ток стока 52 А (импульсный 200 А)
- Мощность рассеивания 394 Вт
- Корпус T2PAK для SMD монтажа
- Набор из 2 транзисторов
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 52 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных инверторах и источниках питания, где требуется надежная работа под значительной нагрузкой.
Эффективность технологии SiC
Использование карбида кремния (SiC) в качестве полупроводникового материала обеспечивает низкие потери при переключении и высокую термостойкость. Такая технология критически важна для повышения общего КПД устройства и снижения нагрева.
Компактный монтаж и мощность
Компонент имеет корпус T2PAK и предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что экономит место на плате. Мощность рассеивания составляет 394 Вт, что требует качественного отвода тепла, но гарантирует стабильную работу при высоких нагрузках.
Удобная комплектация
Товар поставляется в виде набора из 2 шт., что удобно для прототипирования или ремонта плат, где используется пара транзисторов. Наличие вывода Кельвина упрощает измерение и настройку схемы управления.
Низкое сопротивление в открытом состоянии и заряд затвора 175 нКл Сопротивление в открытом состоянии 36 мОм снижает потери на нагреве при токе 52 А, что повышает КПД схемы. Заряд затвора 175 нКл определяет скорость переключения и требования к драйверу. Эти параметры важны для высокочастотных преобразователей, где минимизация потерь является критической. ## Управление затвором и импульсный ток Напряжение затвор-исток -4...18 В позволяет использовать стандартные драйверы затвора. Импульсный ток стока 200 А обеспечивает надежную работу при кратковременных пиковых нагрузках. Это расширяет возможности применения транзистора в импульсных режимах. Этот транзистор подходит для инженеров и техников, которые работают над промышленными источниками питания, солнечными инверторами или системами управления двигателями, где требуется высокая надежность и эффективность.
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 394 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 18 В |
| Максимально допустимый ток стока | 52 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | T2PAK |
| Производитель | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технология | SiC |
- Цена: 2 590 ₴
