Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0016120D, SiC, 1200 В, 85 А, TO247-3 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0016120D — это силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC), предназначенный для работы в высоковольтных цепях. Комплект состоит из 2 штук в корпусе TO247-3, что обеспечивает удобный монтаж на плату.

• Технология SiC для высокой эффективности
• Напряжение сток-исток 1,2 кВ
• Ток стока 85 А (постоянный)
• Импульсный ток до 250 А
• Рассеиваемая мощность 732 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 16 мОм
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Комплект: 2 шт.

Высокое напряжение и ток

Прибор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 85 А. Это позволяет использовать транзистор в мощных инверторах и источниках питания, где требуется стабильная работа под высокой нагрузкой.

Эффективность технологии SiC

Использование технологии SiC обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии 16 мОм. Такой показатель минимизирует потери энергии и нагрев компонента, что критично для повышения КПД устройства.

Мощность и импульсные характеристики

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 732 Вт, а импульсный ток стока может достигать 250 А. Эти параметры гарантируют надежность при резких пиковых нагрузках и кратковременных перегрузках в силовых схемах.

Удобство монтажа и управления

Транзистор имеет монтаж THT (через отверстия) и корпус TO247-3, что упрощает пайку и обеспечивает механическую прочность. Напряжение управления затвором в диапазоне от -4 до 18 В позволяет интегрировать компонент в различные схемы управления. Заряд затвора составляет 287 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора.